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元件参数资料
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参数目录42388
> RTQ040P02TR MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
型号:
RTQ040P02TR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RTQ040P02TR PDF
产品目录绘图
TSMT-6 Package Top
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1350pF @ 10V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
TSMT6
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1639 (CN2011-ZH PDF)
工具箱
846-1003-KIT-ND - KIT MOSFET 5EA OF 16 VALUES
其它名称
RTQ040P02CT
查看RTQ040P02TR代理商
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